技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
• 场效应晶体管特性 Logic Level Gate, 5V Drive
• 漏极至源极电压 (Vdss) 25V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 20A (Ta)
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
• 最大功率 6W
• 工作温度 -55°C ~ 125°C
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
• 供应商器件封装 8-VSON (3.3x3.3)