技术细节

• 零件状态 Active
• 场效应晶体管类型 2 N-Channel (Dual)
• 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40 V
• 漏极至源极电压 (Vdss) 40 V
• 最大漏极电流 (Id) 50 mA
• 电压 - 截止 (VGS关断) @ Id 1.5 V @ 0.1 µA
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 13pF @ 5V
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供应商器件封装 8-SOIC