技术细节

• 零件状态 Active
• 场效应晶体管类型 N-Channel
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 漏极至源极电压 (Vdss) 25 V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 29A (Ta), 100A (Tc)
• 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 3V, 8V
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 2.4mOhm @ 25A, 8V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.4V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
• 最大栅源电压 +10V, -8V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3100 pF @ 12.5 V
• 场效应晶体管特性 -
• 最大功耗 3.1W (Ta), 113W (Tc)
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 供应商器件封装 8-VSON-CLIP (5x6)
• 封装 / 外壳 8-PowerTDFN