技术细节

• 零件状态 Active
• 场效应晶体管类型 P-Channel
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 漏极至源极电压 (Vdss) 15 V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
• 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 2.7V, 10V
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 180mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.5V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5.45 nC @ 10 V
• 最大栅源电压 +2V, -15V
• 场效应晶体管特性 -
• 最大功耗 791mW (Ta)
• 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 供应商器件封装 8-SOIC
• 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)