技术细节

• 零件状态 Obsolete
• 感应距离 0.315" (8mm)
• 感测方法 Reflective
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 30 V
• 集电极电流（Ic）（最大值） 20 mA
• 直流正向电流（If）（最大值） 50 mA
• 输出类型 Phototransistor
• 响应时间 -
• 安装类型 Through Hole
• 封装 / 外壳 4-DIP Module
• 工作温度 -35°C ~ 65°C